樣品系50p.m厚的乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜(日本Sakata Seed公司)，單面蒸鍍層厚100nm的鋁電極。利用電暈充電系統(HNCs20000-1 ump,德國Heinzinger公司)對樣品實施柵控恒壓電暈充電，在一般情況下，電暈電壓和柵壓分別取10. 0和0. 5kV，充電時間lOmin。開路熱刺激放電(thermally stimulated discharge, TSD)實驗在一個帶有溫控程序爐的TSD系統內(T5 402EK,德國H eraeus公司;614多功能表，美國Keithley公司)以3 0C /min的升溫率從室溫(RT)-v250℃完成。

    比較圖1中的曲線1’和1可見(在進行TSD實驗前曲線1,2,3和1',2',3’的樣品對應的表面電位分別為一459,-355,-315V和493 ,464,379V)，在相同充電數下經常溫負充電乙烯-四氟乙烯共聚物的TSD電流譜中的主峰溫(1200C)比正充電樣品的相應峰溫(850C)高出約35 0C，說明負極性樣品中的多數電荷需要較高的熱能活化才能激發脫阱，即負充電的乙烯-四氟乙烯共聚物駐極體中沉積電荷的大部分被捕獲在較深的陷阱能級中。由于TSD電流譜僅出現單峰(圖1)，為了簡化間題，本文假定乙烯-四氟乙烯共聚物駐極體內僅存在單一能級的陷阱。這時，乙烯-四氟乙烯共聚物駐極體在外電路上釋放的TSD電流i與溫度T間應滿足為脫阱電荷的逃逸頻率;h為升溫率的倒數;P,為樣品的初始電荷密度，E為活化能，k為波爾茲曼常數。利用初始上升法和假定在i(T)曲線的初始上升階段滿足條件:對(1)式微分:根據TSD圖譜的實驗數據，作出In，一令圖，即可估算出薄膜駐極體的活化能E。結果指出:對于正、負充電的乙烯-四氟乙烯共聚物駐極體，對應電流譜的主峰溫值分別為85和120℃的活化能E約為1. 4和1. 6eV，由此證實負充電樣品的沉積電荷被捕獲在比正充電樣品更深的陷阱中。