圖2為聚偏氟乙烯薄膜的表面和斷面照片。從圖2a可以看出，通過旋涂法制備的薄膜表面雖然存在少許缺陷，但是整個薄膜表面比較平整與致密。從圖2b可以看出該旋涂工藝所制備的薄膜的厚度為22 m。圖3為聚偏氟乙烯薄膜的FTIR , WARD譜圖以及壓電應變常數姚3值測試數據。由圖3a看出，500  2 000 cm的譜帶屬于官能團區，特征基團與吸收峰為一一對應的關系。其中841 cm處為聚偏氟乙烯薄膜中鐵電相p相的CF2和C-C鍵的對稱伸縮振動吸收峰;884 cm 1頻段的吸收峰為C-C骨架搖擺振動峰;1 178 cm處屬于CF2的伸縮振動。此外1402 cm也屬于鐵電相p相的特征峰;特征峰1667 cm所對應的是C=C鍵的伸縮振動峰。通過Lambert-Beer定律計算聚偏氟乙烯薄膜中的p相含量為16.14聚偏氟乙烯中存在著五種品型，分別為a相、p相、y相、6相以及。相[12-13]其中最穩定的狀態為a相結構，然而只有當p相含量過高時，該共聚物才會表現出比較優異的壓電性能與鐵電性能，因此提高p相結構含量獲得了人們廣大的關注。

    通過WAXD測試對聚偏氟乙烯薄膜的結品性能進行表征，結果如圖3b所示。圖中19.2。處的衍射峰為聚偏氟乙烯薄膜p相結品的(110)品面衍射，說明通過旋涂工藝制備的聚偏氟乙烯薄膜中大部分品相為p相結構。壓電應變常數d33是反映壓電材料性能的重要參數，通過使用準靜態d3。測試儀對所制備聚偏氟乙烯薄膜的姚。值進行測試，結果如圖3c所示。通過對所測量的巧組數據計算平均值，可以得出聚偏氟乙烯薄膜的d3。為10.1 pC / N。根據聚偏氟乙烯薄膜是依靠p相產生壓電性能的理論，通過上述對聚偏氟乙烯薄膜的性能表征可以得出通過旋涂工藝所制備的聚偏氟乙烯薄膜具有一定的壓電性能。